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　　美光公司在华销售的产品(pǐn)未通过(guò)网络(luò)安全审(shěn)查

　　据网信办(bàn)消息(xī)，日(rì)前，网(wǎng)络安全(quán)审查办(bàn)公室依法对美光(guāng)公司在华销(xiāo)售产品进行了网(wǎng)络安(ān)全审查。

　　审查发现，美光公司产品存在较严重网络安全问题隐患，对我国关键信息基础设施供应链造(zào)成重大安(ān)全风(fēng)险，影响我国国家安全。为此(cǐ)，网络安全审查办公室依法作出不(bù)予通(tōng)过(guò)网络安全审查的结论。按照《网络安全法》等法律法规，我国内关键信息基础设(shè)施(shī)的运营者应停止采购美光(guāng)公司产品(pǐn)。

　　此(cǐ)次对(duì)美光公司产品进行网络安全(quán)审查(chá)，目的是防范产品(pǐn)网络(luò)安全问题危害国家关键信息基础(chǔ)设施安全，是维护国家安全的(de)必(bì)要措施。中国坚定推进(jìn)高(gāo)水平对外开放，只要遵守中(zhōng)国(guó)法律法(fǎ)规(guī)要(yào)求，欢迎(yíng)各国企业、各类(lèi)平台产品(pǐn)服务进入(rù)中国(guó)市场。

　　3月31日，中(zhōng)国网信(xìn)网发文称，为(wèi)保障(zhàng)关键(jiàn)信息基础设施(shī)供应链安(ān)全，防范(fàn)产品问(wèn)题(tí)隐患造成网络(luò)安全风险，维护(hù)国家安全，依(yī)据(jù)《中华人民共和(hé)国(guó)国家(jiā)安(ān)全法(fǎ)》《中华人(rén)民共(gòng)和国网络安全法》，网络(luò)安全(quán)审查办公室按照《网络(luò)安全审查(chá)办(bàn)法》，对美光公(gōng)司(sī)（Micron）在华销售的产品实施网络(luò)安(ān)全(quán)审查。

　　美光(guāng)是美(měi)国(guó)的存储芯片行业龙头，也是(shì)全球存储(chǔ)芯片(piàn)巨头之(zhī)一，2022年收(shōu)入(rù)来自中国市场(chǎng)收入从此前高峰57％降(jiàng)至2022年(nián)约11％。根据市场咨询机构 Omdia（IHS Markit）统(tǒng)计(jì)，2021 年三星电子、 铠(kǎi)侠、西部数据、SK 海力士、美光、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪存）市场份额(é)约为 96.76％，三星电子、 SK 海力(lì)士、美光在全球(qiú) DRAM （内(nèi)存）市(shì)场份(fèn)额约为 94.35％。

　　A股上市公司(sī)中(zhōng)，江波龙、佰维存(cún)储等公司披露过(guò)美光(guāng)等(děng)国际(jì)存储厂商为公司供(gōng)应商。

　　美光在(zài)江(jiāng)波龙采购占比(bǐ)已经显著下(xià)降，至少已经不是主要大人类的菊花能扩大到多少，人类的菊花是什么供应(yīng)商(shāng)。

　　公告显示， 2021年美光位(wèi)列江波龙第一大存储晶圆供应商，采购约31亿元，占比33.52％；2022年，江(jiāng)波龙第一大、第二(èr)大和第三(sān)大供应商(shāng)采(cǎi)购(gòu)金额占比(bǐ)分别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江波龙已经在存储产业链(liàn)上下游建立国内外(wài)广(guǎng)泛合作。2022年年报显示，江波龙与三(sān)星(xīng)、美光、西部数据等主要存储晶圆原(yuán)厂签署了长期合约，确保存储晶(jīng)圆供应的稳定性，巩固公司在下(xià)游(yóu)市场(chǎng)的供(gōng)应优势，公司也(yě)与国内国产存(cún)储晶圆原厂(chǎng)武汉长江存储、合(hé)肥(féi)长鑫保持良(liáng)好的合作(zuò)。

　　有券商(shāng)此前就(jiù)分析(xī)，如果美光在中国(guó)区销售受到限制，或(huò)将(jiāng)导致下游客户(hù)转而采购国外三(sān)星、 SK海(hǎi)力士，国内长江存储(chǔ)、长(zhǎng)鑫存储等竞对产品

　　分析称，长(zhǎng)存、长(zhǎng)鑫的(de)上游(yóu)设备(bèi)厂或从中受益。存储(chǔ)器的生产已经(jīng)演进到(dào)1Xnm、1Ynm甚至1Znm的(de)工艺。另(lìng)外NAND Flash现在已经(jīng)进入3D NAND时代，2 维(wéi)到(dào)3维的结(jié)构转变使刻蚀和薄膜(mó)成为最(zuì)关(guān)键、最大量(liàng)的(de)加工(gōng)设备。3D NAND每层均需要经(jīng)过(guò)薄膜沉积工艺步骤，同时刻蚀(shí)目前前沿(yán)要刻(kè)到 60：1的深孔，未来可能会更深的孔或者沟(gōu)槽，催生更多设(shè)备需求(qiú)。据东京电子披露(lù)，薄(báo)膜沉积设(shè)备及刻(kè)蚀占(zhàn)3D NAND产线资(zī)本(běn)开支合计为(wèi)75％。自长江存储被加入美国限(xiàn)制名单，设(shè)备国产化进程加速，看好拓荆科技（薄膜(mó)沉积）等(děng)相关公司(sī)份(fèn)额提(tí)升，以及存(cún)储业务占比较高的华(huá)海清科（CMP）、盛美上海（清洗）等收(shōu)入增长(zhǎng)。

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